3d动漫夜桜字幕在线播放 金戈新材推出新品：氮化硼微粉

     大规模天线阵列和高集成度芯片成了5G设备的标配，为了避免集成电路内部信号延迟、热量积聚等问题，亟须开发以低介电导热粉体为填料的高导热界面材料。

     在常见导热绝缘粉体（AlN、BN、Si₃N₄、Al₂O₃、MgO、SiC、ZnO）中，氮化硼（BN）的介电常数（在宽频范围内约为4.0）和介电损耗（1.0×10⁸ Hz时，介电损耗为2.5×10^-4）均相对最低，面内导热率高达180 W/m·K，是制备低介电、高导热界面材料的理想填料。以下是金戈新材根据市场需求，推出的不同粒径和形貌的氮化硼微粉：GD-S10BN、GD-S90BN、GD-S180BN、GD-S25BN。

氮化硼微粉技术指标(非标准值）

产品的粒径分布均一，品质稳定，可与其他粒径、形貌、种类的导热粉体搭配应用在高分子材料中，从而获得高导热的界面材料，确保5G设备安全、稳定的运行。若对上述产品感兴趣，可在下方留言或者致电0757-87572700/87572711。